ROHM開發(fā)出SiC肖特基勢壘二極管“SCS3系列”

發(fā)布時間：

2025/08/24

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM開發(fā)出非常適用于服務(wù)器和高端計算機等的電源PFC電路※1的、第3代SiC（Silicon Carbide:碳化硅）肖特基勢壘二極管(以下稱“SiC-SBD”) “SCS3系列”。

本產(chǎn)品采用新結(jié)構(gòu)，不僅繼承了量產(chǎn)中的第2代SiC-SBD所實現(xiàn)的業(yè)界最低正向電壓※2(VF=1.35V、25℃)的特性，同時還確保了高抗浪涌電流特性。因此，還可用于服務(wù)器和高端計算機等的電源PFC電路，非常有助于提高應(yīng)用的效率。

本產(chǎn)品已于2016年3月開始出售樣品，計劃于2016年4月開始逐步投入量產(chǎn)。前期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Apollo Co., Ltd. （日本福岡縣），后期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Korea Corporation（韓國）。

今后，ROHM將通過擴大SiC元器件產(chǎn)品的陣容，繼續(xù)為電力電子設(shè)備的節(jié)能化作出貢獻。

＜背景＞

近年來，在太陽能發(fā)電系統(tǒng)、工業(yè)用各種電源裝置、電動汽車及家電等電力電子領(lǐng)域，為提高功率轉(zhuǎn)換效率以實現(xiàn)進一步節(jié)能，更高效率的功率元器件產(chǎn)品備受期待。SiC器件與以往的Si器件相比，具有優(yōu)異的材料特性，在這些領(lǐng)域中的應(yīng)用日益廣泛。尤其是在服務(wù)器等這類要求更高電源效率的設(shè)備電源中，SiC-SBD產(chǎn)品因其快速恢復(fù)特性可有效提高效率而被用于PFC電路來提高設(shè)備效率。在這些用途中，抗浪涌電流※3特性成為重要的參數(shù)。一直以來，ROHM的第1代、第2代SiC-SBD產(chǎn)品均深獲客戶好評。為了進一步擴大應(yīng)用范圍，ROHM 采用新產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，成功開發(fā)出保持業(yè)界最高水平的低VF特性、并實現(xiàn)高抗浪涌電流特性的產(chǎn)品。

＜特點＞

1. 保持低VF特性，實現(xiàn)高抗浪涌電流能力

此次開發(fā)的第3代SiC-SBD“SCS3系列”，為實現(xiàn)高抗浪涌電流能力，采用了JBS（Junction Barrier schottky）結(jié)構(gòu)。以往的結(jié)構(gòu)是可有效提高抗浪涌電流能力、并改善泄漏特性的結(jié)構(gòu)，而ROHM的第3代最新產(chǎn)品，不僅具備以往產(chǎn)品的特點，而且還進一步改善了第2代SiC-SBD所實現(xiàn)的低VF特性，將作為更高性能的產(chǎn)品大展身手。

2. 實現(xiàn)業(yè)界最低的正向電壓（VF=1.35V/25℃、1.44V/150℃）

ROHM的第2代SiC-SBD，通過改善工藝和產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)了業(yè)界最低的正向電壓。在高溫條件下，本產(chǎn)品的VF值比第2代產(chǎn)品更低，導(dǎo)通損耗更低，效率更高。

3. 低泄漏電流特性

一般情況下，降低正向電壓會導(dǎo)致反向漏電流增加，而ROHM的第3代最新SiC-SBD產(chǎn)品采用JBS結(jié)構(gòu)，成功減少漏電流并降低正向電壓。本產(chǎn)品在額定電壓下的漏電流與第2代SiC-SBD相比，低至約1/20(650V、Tj=150℃時)。

＜產(chǎn)品陣容＞

TO-220ACP封裝的產(chǎn)品陣容擴大中。另外，在此基礎(chǔ)上還將逐步擴大TO-263AB（表面貼裝型）封裝的產(chǎn)品陣容。

＜應(yīng)用＞

計算機、服務(wù)器、空調(diào)等高端電源設(shè)備內(nèi)的PFC電路

＜術(shù)語解說＞

※1 PFC電路　(Power Factor Correction)

將電源產(chǎn)生的高次諧波電流控制在某范圍以內(nèi)，抑制峰值電流以期進一步節(jié)能的電路。

※2　正向電壓(VF)